プラズマを遮って基板の傷みを抑え、薄膜を形成する
スパッタ成膜時に基板へ届くプラズマや反跳アルゴンを抑え、電子部品や太陽電池向けの薄膜を低ダメージで形成する成膜源。
株式会社アドバンスト・スパッタテック 横浜国立大学発 ／ 神奈川県 横浜市 ／ 2022年設立
研究発の技術 スパッタリング 薄膜成膜 低ダメージ成膜 マグネトロンスパッタ 透明導電膜 真空装置
実用化の段階
研究実証販売
会社公式サイトで自社製低ダメージ成膜源を販売中とし、成膜受託・輸入販売・装置レトロフィットも提供している。
5製品
0提携・顧客
4特許
0出資者
しくみ
解こうとしている課題
従来のスパッタ成膜では、プラズマや反跳アルゴンが基板を傷めることがあり、特にペロブスカイト太陽電池では発電層上に透明電極を形成する際の損傷が長寿命化の課題となる。
どう動くか
真空中でアルゴンイオンを材料ターゲットに衝突させ、飛び出した粒子を基板に薄膜として堆積させる。同社の成膜源は、ターゲットを向かい合わせて反跳アルゴンの基板到達を抑え、磁気回路でプラズマを遮蔽する。さらにフィラメント状の活性陽極へ電子を集め、プラズマが基板側へ漏れるのを抑える。同社は社内実験装置で従来比約2倍の成膜速度を示したとしている。
できるようになること
発電層への損傷を抑えた透明電極形成により、ペロブスカイト太陽電池の長寿命化に向けた研究開発を支援する。電子部品・エネルギーデバイスの製造現場では、基板損傷の低減と成膜速度の向上を目指す用途が示されている。
技術の出自：横浜国立大学発ベンチャー。大学院の研究成果ベンチャーとされるが、関連学部・研究分野・研究プロジェクト名は確認できず。 出典1 出典2 出典3 出典4
使われる場面
- 電子部品の薄膜形成
- 透明導電膜（ITO）の成膜
- ペロブスカイト太陽電池の透明電極形成に関する研究開発
- 金属膜（Cr、Cu等）の成膜
- 既存スパッタ装置の改修・機能向上
優位性の主張
製品・サービス
研究段階
ペロブスカイト太陽電池改良研究用低ダメージ小型スパッタ成膜装置
研究者が透明電極を低ダメージで成膜するための小型装置。横浜市の支援対象事業として開発。 出典
ペロブスカイト太陽電池の研究者・研究機関
これまでの歩み 新しい順
特許
4 件 出典（Gビズインフォ）
gBizINFOの法人別表示では特許4件。Google Patentsで会社名義の2発明ファミリーを調べ、JP・WO・CNの公開番号を計6件確認した。WOの法的状態はGoogle Patents表示であり、法的確定情報ではない。
主な分野スパッタリング成膜源・成膜装置（C23C14/34、磁場適用スパッタを含む）
海外出願True
特許第7150364号「スパッタリング成膜源および成膜装置」 株式会社アドバンスト・スパッタテック ／ 日本登録・有効（Google Patents表示）。国際公開WO2023047995A1はCeased表示、中国出願CN118382718AはPending表示。 出典
WO2023047995A1「Sputtering deposition source and deposition device」 Advanced Sputter Tech Co., Ltd. ／ 国際公開。Google PatentsではCeased表示。 出典
CN118382718A「Sputtering film forming source and film forming device」 Advanced Sputter Tech Co., Ltd. ／ 出願公開。Google PatentsではPending表示。 出典
特許第7369411号「スパッタリング成膜源および成膜装置」 株式会社アドバンスト・スパッタテック ／ 日本登録・有効（Google Patents表示）。 出典
WO2024180949A1「Sputtering deposition source and deposition device」 Advanced Sputter Tech Co., Ltd. ／ 国際公開。各国移行後の権利状況は別途確認が必要。 出典
CN120858195A「Sputtering film forming source and film forming equipment」 Advanced Sputter Tech Co., Ltd. ／ 出願公開。Google PatentsではPending表示。 出典
会社の規模
大学との関係
大学の認定
横浜国立大学 会社資料によると、横浜国立大学発ベンチャー称号を授与されている。