溶かした材料から単結晶を育て、半導体向け基板を作る
チョクラルスキー法（CZ法）などで酸化物・フッ化物・金属のバルク単結晶を育成し、半導体基板やセンサー材料向けの結晶・ウェハと製造技術を提供する。
株式会社福田結晶技術研究所 宮城県 仙台市 ／ 2002年設立
研究発の技術 単結晶成長 チョクラルスキー法 マイクロ引下げ法 水熱合成 アモノサーマル法 ScAlMgO4
実用化の段階
研究実証販売
結晶・ウェハの販売と代理店による独占販売が公表され、各種単結晶の試作・技術支援実績も示されている。
2製品
9提携・顧客
31特許
2出資者
しくみ
解こうとしている課題
半導体や光・電子デバイスに適した高品質で大口径の単結晶基板を得にくいことや、振動発電材料の製造・加工コストが高いことに取り組む。
どう動くか
CZ法では原料を溶かし、種結晶を回転させながら引き上げて大きな単結晶を育てる。同社は対象材料に応じた加熱・るつぼ方式を使い分け、結晶の高品質化・大口径化を進める。ScAlMgO4（SAM）はGaNと格子の間隔が近く、エピタキシャル成長用の基板になる。Fe-Ga単結晶は振動によるひずみを電気に変える材料として使われる。
できるようになること
SAM基板上でのGaN成長は、LED・レーザーや窒化物半導体基板の選択肢を広げる可能性がある。Fe-Ga単結晶の低コスト量産加工は、電池交換が難しいセンサーなどに使う振動発電デバイスの実用化を後押しすると各発表は説明している。
技術の出自：東北大学金属材料研究所の結晶成長研究。関連プロジェクトとして、日本学術振興会「次世代機能素子用基盤としての単結晶の育成と評価」。 出典1 出典2 出典3 出典4
使われる場面
- GaN系LED・レーザー用基板
- 半導体・パワーデバイス用結晶材料
- SAW高周波フィルター用結晶
- 振動発電用Fe-Ga磁歪材料
- 高温温度センサー・圧電デバイス
- 光学レンズ・窓材
- シンチレーター・放射線検出材料
- グラフェン用Ni結晶
優位性の主張
製品・サービス
これまでの歩み 新しい順
提携先・顧客
共同開発
Philips Lumileds 依頼を受けてSAM単結晶の開発を開始。 出典
特許
31 件 出典（Gビズインフォ）
経済産業省Gビズインフォの法人番号検索で確認した、2013〜2022年の収録特許件数。全期間の保有・出願総数ではない。Google Patentsでは関連公報も個別確認した。
主な分野単結晶育成装置・育成方法、ScAlMgO4結晶・GaN基板、Fe-Ga磁歪合金単結晶、フッ化物結晶製造、ZnO結晶・シンチレーター、高温圧電センサー
共同出願人Stella Chemifa Corp、国立大学法人東北大学
海外出願True
JP7113478B2「るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法」 株式会社福田結晶技術研究所 ／ 登録・有効（Google Patents表示） 出典
JP6883383B2「ScAlMgO4単結晶の製造方法」 株式会社福田結晶技術研究所 ／ 登録 出典
JP6032590B2「酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器」 株式会社福田結晶技術研究所 ／ 登録・有効（Google Patents表示） 出典
WO2005007943A1「Method for producing crystal of fluoride」 株式会社福田結晶技術研究所 ／ WO出願は終了表示。関連するJP・US・EP・CN・KR出願を確認。 出典
US7947192B2「Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use」 Fukuda Crystal Laboratory ／ 登録後、年金不納による失効表示 出典
特願2015-039155「ScAlMgO4基板に基づく窒化ガリウム単結晶及びその製造方法」 国立大学法人東北大学、株式会社福田結晶技術研究所 ／ 公開公報 出典
会社の規模
大学との関係
出資者（公開情報で確認できた2社）
三菱商事株式会社株式会社フルヤ金属
事業会社（CVCを含む） 2
会社や出資者の発表から確認した。出資者の種類は、AIが社名から付けたもの。個人の株主は載せていない。＊は、出典のページで社名を機械的に照合できなかったもの。